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功率(lv)器件研(yan)發工程師 15-25K 參考工資

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崗位職責

1、負責IGBT/Sic/sgt mos/sjmos等新型器件結構設計及性能優化；
2、負責新產品的試驗方案設計，器件參數測試和異常分析工作，解讀產品需求；
3、負責產品定義及新產品開發導入工作；
4、在高校承擔部分教學(xue)授課任務。

崗位要求

1、半導體、微電子、應用物理、集成電路等半導體相關方向，本科及以上學歷；
2、熟練應用器件仿真軟件sentaurus和Silvaco ，熟練使用版圖繪制軟件：ledit或者 virtusio ；
3、對半導體器件理論有深入的理解，有IGBT、SIC、MOS、肖特基、SBR等項目研發經驗者優先；
4、對(dui)國際前沿性技術有深入(ru)的了解和研究，有創造性思(si)維(wei)，可對(dui)現有產品(pin)做革(ge)新設計。

工作地址

山東省濟寧(ning)市(shi)(shi)·兗(yan)州市(shi)(shi)創(chuang)新(xin)大廈

HR信息

趙女士

今日活躍

人力資源部經理 | 人力資源部經理

與HR聊聊

應聘回聊一般(ban) 回聊率 82%

聊天意愿快回(hui)復間隔 3-5分鐘(zhong)

活躍(yue)時段潛水(shui)

安全警示

立即投訴

在求職過(guo)程中(zhong)如果遇到(dao)扣押(ya)證件、收取押(ya)金、提供擔保、強迫(po)入股集(ji)資(zi)、解凍資(zi)金、詐騙傳(chuan)銷、求職歧視、黑中(zhong)介、人(ren)身攻擊、惡意騷擾、惡意營銷、虛假宣傳(chuan)或其(qi)他違(wei)法違(wei)規(gui)行為。請及時保留證據，立即向平臺舉報投訴(su)，必要時可(ke)以報警、起(qi)訴(su)，維護(hu)自己的合法權益(yi)。

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